IT之家 10 月 22 日消息，美光（Micron）于当地时间昨日召开 2026 年度技术网络研讨会，讨论了 DRAM、泛 HBM、NAND 和 SSD 的未来发展，本部分专注于基础 DRAM 技术。
美光认为，经过二十多年的技术探索，4F² DRAM 因复杂度和成本问题，没有可行的扩展路径。在传统 2D 6F² DRAM 面临尺寸缩小瓶颈的情况下，美光将 3D DRAM 作为未来发展方向。
IT之家注意到，长鑫存储此前曾表示，计划在今年内推出采用 4F² 混合键合技术的 DDR5 RDIMM，也有消息称，三星电子在其首代亚 10nm 级 DRAM 上放弃了 4F² 路线。
美光的第 7 代 10nm 级 DRAM 节点 1δ 目前处于良率提升阶段；第 8 代 10nm 级节点 1ε 将引入晶圆键合技术；第 1 代亚 10nm 级节点 ζÅ 正处于早期开发阶段，将引入 High NA EUV 光刻；第 2 代亚 10nm 级节点 ηÅ 正在进行探索，计划采用新材料。
美光指出，1δ 工艺可带来约 25% 的代际存储密度提升，同时成本得到优化。该技术将广泛应用于 HBM5、vHBM、vEIM、LPDDR、DDR 等产品。
美光还表示，DRAM 的 CMOS 逻辑电路也将实现 3D 化，从而带来显著的性能提升。